AI军备竞赛触及原材料层，三条主线（附股）
从锗、镓、石墨到稀土，再到磷化铟，管制边界正在向AI硬件最底层的原材料环节系统性延伸。AI军备竞赛从算力层、光互联层，已经打到原材料层了。① 磷化铟（InP）——AI数据中心高速光互联直接卡脖子材料
InP是800G/1.6T硅光模块的核心衬底，数据中心光互联的增速已经超出硅光芯片产能的释放节奏，InP衬底供给本身就偏紧；叠加管制预期，将系统性推升备货需求与价格预期。光模块产业链中材料端的弹性，当前定价远不充分——中际旭创、新易盛、源杰科技等整链受益；InP衬底环节国内布局稀缺，建议持续跟踪。
② 六氟化钨（WF₆）——先进制程CVD沉积不可替代的工艺气体
WF₆是7nm以下节点钨栓塞（W-plug）沉积的核心前驱体，台积电、三星、英特尔先进制程每片晶圆都要消耗。中国已是WF₆主要生产国，一旦管制范围扩大，全球先进制程产能将直接承压。
③ 高纯氧化铝体系——HBM封装、导热填料、电子陶瓷的基础材料
HBM堆叠封装对Low-α球形氧化铝纯度要求极高；AI服务器导热填料（TIM）耗用量级随TDP上升快速扩张；电子陶瓷基板（MLCC、高频基板）对高纯粉体亦持续升级需求。
受益梯队：
第一梯队（InP光互联）：云南锗业
第二梯队（特气WF₆）：中船特气、昊华科技、凯美特气、雅克科技、中巨芯
第三梯队（氧化铝体系）：天马新材、联瑞新材、壹石通
如果说磷化铟卡的是AI数据中心的光互联，六氟化钨卡的是先进制程沉积，那么Low-α球形氧化铝卡的就是HBM与先进封装的可靠性。
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