【国内先进制程确立DUV多重曝光路线，带来掩膜版几倍增量 国内哪些企业国产替代？】
国内先进制程采用 DUV 多重曝光路线，带动掩膜版需求大幅增长，多家本土企业推进国产替代。
工艺切换逻辑：国内无法获取 EUV 设备，193nm DUV 单次曝光的物理上限为 40nm 半节距，因此采用 DUV 叠加多重曝光（如 LELELE、SADP、SAQP）作为 7nm 及以下制程的落地路径；该工艺将单张图案拆分多次曝光，使单层电路掩膜版数量从 1 张增至 2 到 4 张，先进制程掩膜需求扩容 5 倍以上。
路维光电进展：作为第三方掩膜代工厂，180/150nm 实现量产，130nm 小批量供货，90nm 成套产品已出货，28、40nm 单片掩膜通过客户认证。
清溢光电进展：主营第三方掩膜制造，180nm 量产、150nm 小批量产出，主攻 130-65nm 的 PSM、OPC 工艺研发，同步规划 28nm 产线开发。
龙图光罩进展：90nm 已量产，65nm 产品送样验证，60nm 高端掩膜产线投产，推进 55/40nm 新品研发。
冠石科技进展：65nm 及以上部分产品量产，55nm 进入验证阶段，40nm 产线打通，28nm 设备调试中。
聚和材料布局：通过并购布局上游空白掩膜原材料，产品进入国内 24 家企业验证，中长期本土市占率有望达 40%-50%。
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